2017.04.28
ㆍ낮은 소비전력ㆍ1MSPS에서 21mW(typ)ㆍ500kSPS에서 16.5mW(typ)ㆍINL: ±9ppm(typ), ±20ppm(max)ㆍSINAD: 10kHz(단위 이득)에서 91.5dB(typ)ㆍTHD: 10kHz에서 ?105dB
ㆍINL: ±1.0LSB(max)ㆍ16 비트, 무손실 코드(no missing code) 보장ㆍ저전력ㆍ2MSPS에서 9.75mW(VDD의 경우만 해당)ㆍ10kSPS에서 70μW, 2MSPS에서 14mW(전체)
ㆍ비반사식 50Ω 설계ㆍ낮은 삽입 손실: 2.0dB~30GHzㆍ뛰어난 절연 성능: 60dB~30GHzㆍ높은 입력 선형성ㆍ1dB 전력 컴프레션(P1dB): 28dBm(typ)ㆍ3차 교차점(IP3): 52dBm(typ)
2017.03.29
ㆍ낮은 오프셋 전압: 최대 5μVㆍ아주 낮은 오프셋 전압 드리프트: 최대 22nV/°Cㆍ낮은 전압 잡음 밀도:ㆍ5.8nV/√Hz(typ)ㆍ0.1Hz~10Hz에서 117nV p-p(typ)ㆍ낮은 입력 바이어스 전류: 50pA(typ)
ㆍ낮은 입력 바이어스 전류ㆍTA = 25°C에서 최대 ±20fA(생산 검정 단계에서 보증 완료)ㆍ-40°C < TA < +85°C에서 최대 ±20fAㆍ-40°C < TA < +125°C에서 최대 ±250fA(생산 검정 보증 완료)ㆍ낮은 오프셋 전압: 지정된 CMRR 범위 내에서 최대 50μVㆍ오프셋 드리프트: 0.13μV/°C(typ), 0.5μV/°C(최대)ㆍ최대 오프셋이 100μV인 통합 가드 버퍼(guard buffer)