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[ADRF5040] 9 kHz ~ 12.0 GHz , 높은 절연 수준의 무반사 실리콘 SP4T Switch

2017.12.28

▶무반사의 50Ω 설계
▶양의 제어 범위 : 0V ~ 3.3V
▶높은 입력 선형성 ：
ㆍ1dB 압축 (P1dB) : 37dBm (typical)
ㆍIIP3 (input , third-order intercept) : 8GHz 에서 58dBm (typical)

▶높은 전력 처리 ：
ㆍ33dBm 통과 경로 (through path)
ㆍ27dBm 종료 경로 (termination path)
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[HMC7885] 2 GHz ~ 6 GHz, 32 W GaN 전력 증폭기

2017.12.28

▶포화 RF 출력 전력 (POUT) : 45dBm
▶작은 신호 이득 : 21dB
▶18 리드 , 완전 밀폐형 모듈
▶?30°C ~ +60°C 동작 온도
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[HMC8205] 광대역 , 0.3 GHz ~ 6 GHz , 35 W GaN 전력 증폭기

2017.12.28

▶높은 PSAT : 46dBm
▶높은 전력 이득 : 20dB
▶높은 PAE : 38%
▶공급 전압 : VDD = 1,300mA 에서 50V
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[LT8650S] 듀얼 채널 4A, 42V, 동기식 스테퍼 2개, 6.2μA 대기 전류를 포함한 이중 스위치

2017.12.20

▶Silent Switcher®2 아키텍처 :
ㆍ모든 PCB에서 매우 낮은 EMI로 PCB 레이아웃 감도 제거
ㆍ내부 바이 패스 커패시터가 방사 EMI 감소
ㆍ선택적 확산 스펙트럼 변조
▶각 채널에서 동시에 4A DC
▶양쪽 채널에서 최대 6A
▶초저 무부하 전류 BurstMode® 동작 :
ㆍ12VIN ~ 5VOUT1 및 3.3VOUT2를 레귤 레이트하는 6.2μA IQ
ㆍ출력 리플 <10mVP-P
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[LTM8063] 40VIN, 2A 무소음 스위처 μModule 레귤레이터

2017.12.20

▶저소음 Silent Switcher® 아키텍처
▶넓은 입력 전압 범위 : 3.2V ~ 40V
▶넓은 출력 전압 범위 : 0.8V ~ 15V
▶2A 12VIN, 5VOUT, TA = 85 ° C에서 연속 출력 전류
▶2.5A 피크 전류

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