2023.01.12
▶ 수신 경로에 전력 제한기가 통합된 고전력 송수신 스위치▶ 주파수 범위: 6GHz ~ 12GHz▶ 반사형 50Ω 디자인▶ 낮은 삽입 손실▶ 고차단: TX 선택 시 TX에서 RX로 55dB 일반▶ 고전력 처리(TCASE = 50°C)▶ TX 입력: 펄스 40dBm, 15% 듀티 사이클에서 >100ns 펄스 폭▶ RX 플랫 누설: 17dBm▶ 높은 선형성▶ 빠른 스위칭 시간: 50ns▶ 빠른 응답 및 복구 시간: <10ns▶ 저주파 스퓨리어스가 없는 이중 공급▶ 포지티브 제어 인터페이스: CMOS-/LVTTL 호환▶ 20리드, 3mm × 3mm LGA 패키지▶ ADRF5144와 호환되는 핀
2023.01.05
▶ 단일 인덕터 아키텍처로 VIN이 규제된 VOUT보다 높거나 낮거나 같을 수 있음▶ 동기 정류: 최대 98% 효율▶ 넓은 VIN 전압 범위: 5~70V▶ ±1% 출력 전압 정확도: 1V ≤ VOUT ≤ 70V▶ DCR 또는 RSENSE 전류 감지▶ 벅/부스트/벅-부스트 모드에서 피크 전류 모드 제어▶ 프로그래밍 가능한 입력 또는 출력 전류 조절▶ 7V NMOS 게이트 드라이버▶ 위상 잠금 가능 주파수(100kHz~600kHz)▶ 다상/다중 IC 병렬 작동▶ 선택 가능한 연속 또는 펄스 스키핑 모드 작동 및 인덕터 피크 전류 제한▶ 소형 32리드 5mm × 5mm QFN 패키지
2022.12.28
▶ 수신 경로에 전력 제한기가 통합된 고전력 송수신 스위치▶ 주파수 범위: 6GHz ~ 12GHz▶ 반사형 50Ω 디자인▶ 낮은 삽입 손실▶ 고차단: TX 선택 시 TX에서 RX로 55dB 일반▶ 고전력 처리(TCASE = 50°C)▶ TX 입력: 펄스 40dBm, 15% 듀티 사이클에서 >100ns 펄스 폭▶ RX 플랫 누설: 17dBm▶ 높은 선형성▶ 빠른 스위칭 시간: 50ns▶ 빠른 응답 및 복구 시간: <10ns▶ 저주파 스퓨리어스가 없는 이중 공급▶ 포지티브 제어 인터페이스: CMOS-/LVTTL 호환▶ 20리드, 3mm × 3mm LGA 패키지▶ ADRF5144와 호환되는 핀▶
2022.12.20
▶ 광대역 주파수 범위: 1GHz ~ 20GHz▶ 낮은 삽입 손실: 일반적으로 0.8dB ~ 20GHz▶ 높은 절연: 52dB 일반 ~ 20GHz▶ 높은 입력 선형성▶ TCASE = 85°C에서 높은 전력 처리▶ PIN이 37dBm 미만인 0.1dB RF 정착 시간: 750ns▶ 저주파 스퓨리어스 없음▶ 포지티브 컨트롤 인터페이스: CMOS/LVTTL 호환▶ 20리드, 3.0mm × 3.0mm LGA 패키지▶ ADRF5141과 호환되는 핀
2022.12.15
▶ 통합 스위칭 강압 조정기로 구동되는 이중 LDO▶ EMI 노이즈 실드가 통합된 저노이즈 Silent Switcher® 아키텍처▶ CISPR22 클래스 B 및 CISPR25 클래스 5 준수▶ 초저 출력 RMS 잡음: <1μVRMS(10Hz~100kHz)▶ 초저 출력 스폿 잡음: 10kHz에서 2nV/√Hz▶ 매우 높은 PSRR: 100kHz에서 80dB▶ 넓은 입력 전압: 3.5~40V▶ 넓은 출력 전압: 0~8V▶ TA = 85°C에서 이중 500mA 연속 전류▶ 전압 추적 기능으로 전력 손실 최소화▶ 초기 정확도가 ±1%인 100μA SET 핀 전류▶ 선택 가능한 스위칭 주파수: 200kHz ~ 2.2MHz▶ 외부 동기화▶ 프로그래밍 가능 전력 양호▶ 더 낮은 잡음과 더 높은 전류를 위해 병렬 가능▶ 9mm × 6.25mm × 3.32mm BGA